GaNPower

GaNPower develops high-performance Gallium Nitride (GaN) based power devices and related ICs in various packaging forms. With patented circuit topologies, we provide new-generation system solutions that are suitable for GaN technologies.

Produto Categoria

FETs, MOSFETs individuais

Interruptores de distribuição de energia, drivers de carga

FETs, MOSFETs

Produtos em Destaque

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Número da peça	Fabricante	Descrição	Em stock	Quantidade	Pacote	Estado	Detalhe
GPI4TIC8DFV	GaNPower	IC GaN Power 650V 8A DFN6x8	4336	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalhe
GPI6TIC8DFV	GaNPower	IC GaN Power 650V 8A DFN6x8	9620	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalhe
GPIHI8ICDF68	GaNPower	IC GaN Power 650V 8A DFN6x8	2204	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalhe
GPI6TIC10DFV	GaNPower	IC GaN Power 650V 10A DFN6x8	4170	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalhe
GPIHI10ICDF68	GaNPower	IC GaN Power 650V 10A DFN6x8	3123	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalhe
GPI4TIC10DFV	GaNPower	IC GaN Power 650V 10A DFN6x8	6146	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalhe
GPI6508DFIC	GaNPower	IC GAN POWER 650V 8A DFN5X6	3111	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalhe
GPIHV30DFN	GaNPower	GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8	8243	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalhe
GPI65005DF68	GaNPower	GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8	4629	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalhe
GPI65005DF	GaNPower	GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6	9905	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalhe
GPI6TIC15DFV	GaNPower	Power IC based on Power GaN HEMT	3529	RFQ	Tube	Active	Detalhe
GPI4TIC15DFV	GaNPower	Power IC based on Power GaN HEMT	9902	RFQ	Tube	Active	Detalhe

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