| TIPO | Descrição |
|---|---|
| Categoria | FETs, MOSFETs |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Série | - |
| Estado do produto | Obsolete |
| Embalagem | Fita & Carretel (TR) |
| Pacote / Caixa | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Tipo de montagem | Montagem na Superfície |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 2W |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| FET Feature | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Pacote de Dispositivos do Fornecedor | 8-SOP |
| ATRIBUTO | Descrição |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Compliant |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Estatuto REACH | Reach unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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