TIPO | Descrição |
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Categoria | FETs, MOSFETs |
Fabricante | Infineon Technologies |
Série | - |
Estado do produto | Obsolete |
Embalagem | Bandeja |
Pacote / Caixa | Module |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | Silicon Carbide (SiC) |
Power - Max | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 50A, 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 5V |
FET Feature | - |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 20mA |
Pacote de Dispositivos do Fornecedor | AG-EASY1BM-2 |
ATRIBUTO | Descrição |
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Estado RoHS | unknown |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | Not Applicable |
Estatuto REACH | Reach unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |