TIPO | Descrição |
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Categoria | Rectificador |
Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
Série | - |
Estado do produto | Activo |
Embalagem | Granel |
Pacote / Caixa | Three Tower |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Technology | Standard |
Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
Pacote de Dispositivos do Fornecedor | Three Tower |
Temperatura de funcionamento - Junction | -55°C ~ 150°C |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6 V @ 300 A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 1200 V |
ATRIBUTO | Descrição |
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Estado RoHS | RoHS Compliant |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estatuto REACH | Reach unknown |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.10.0080 |
QTY | PREÇO UNITÁRIO | PREÇO TOTAL |
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48 | $172.95667 | $8301.92016 |
Quantidade mínima de encomenda:48 |